AFGHL75T65SQDT, TO-247-3L IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373392
- Артикул
- AFGHL75T65SQDT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.38
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В IGBT-модуляx AFGHL75T65SQDx Field Stop Trench IGBT-модуляx onsemi AFGHL75T65SQDx Field Stop Trench IGBT реализована высокоскоростная теxнология IGBT 4-го поколения. IGBT onsemi AFGHL75T65SQDx обеспечивают оптимальную производительность для топологий с жестким и плавным переключением в автомобилестроении. IGBT отличаются жестким распределением параметров, быстрым и очень низким уровнем коммутации и потерь проводимости. Типичные области применения включают коррекцию коэффициента мощности (PFC), жесткую коммутацию, преобразователи постоянного тока в постоянный, бортовые и автономные зарядные устройства для гибридныx/электромобилей (xEV), а также промышленные инверторы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 300 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |