Моя заявка (0)
AFGHL75T65SQDC, IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368483
Артикул
AFGHL75T65SQDC
Бренд
ON Semiconductor***
Type
FS(Field Stop)
Brand:
onsemi
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT предлагает высокоскоростную теxнологию IGBT 4-го поколения. AFGHL75T65SQD соответствует стандарту AEC-Q101 и обеспечивает оптимальную производительность как для топологии с жестким, так и с плавным переключением в автомобилестроении. Кроме того, onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT обладает высокой пропускной способностью по току, быстрым переключением и точным распределением параметров.

Технические параметры

TypeFS(Field Stop)
Brand:onsemi
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:onsemi
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:IGBT Transistors
Number of Transistors1
Collector Current (Ic)80A
Power Dissipation (Pd)375W
Pd - Power Dissipation:375 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Turn?on Switching Loss (Eon)1.68mJ
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Turn?off Switching Loss (Eoff)1.11mJ
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:80 A
Maximum Continuous Collector Current75 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:450

Техническая документация