Моя заявка (0)

ADC114YUQ-7, 2 NPN - Pre-BIased 270mW 100mA 50V SOT-363 DIgItal TransIstors

ADC114YUQ-7, 2 NPN - Pre-BIased 270mW 100mA 50V SOT-363 DIgItal TransIstors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043844826
Артикул
ADC114YUQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Корпус
SOT-363
Power Dissipation
270мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor

Технические параметры

Вес, г0.06
КорпусSOT-363
Power Dissipation270мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min80hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
ПроизводительDiodes Incorporated
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
Continuous Collector Current100мА
Канальный режимEnhancement
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Линейка Продукции-
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов6 ???????
Монтаж транзистораSurface Mount
Выходное напряжение0.1 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-363
Полярность транзистораNPN
Резистор База-эмиттер R247кОм
Pd - рассеивание мощности270 mW
Резистор На входе Базы R110кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Максимальная рабочая частота250 MHz
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2-
Типичное входное сопротивление10 kOhms, 47 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Полярность Цифрового Транзистора??????? NPN
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора0.2
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация