Моя заявка (0)

ADC114EUQ-7, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

ADC114EUQ-7, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016878091
Артикул
ADC114EUQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Power Dissipation
270мВт
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor SOT363 T&R 3K

Технические параметры

Вес, г0.001
Power Dissipation270мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min30hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
Continuous Collector Current100мА
Канальный режимEnhancement
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Линейка Продукции-
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов6 ???????
Монтаж транзистораSurface Mount
Выходное напряжение0.1 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-363
Полярность ТранзистораДвойной NPN
Резистор База-эмиттер R210кОм
Pd - рассеивание мощности270 mW
Резистор На входе Базы R110кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Максимальная рабочая частота250 MHz
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2-
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового Транзистора??????? NPN
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30

Техническая документация