Моя заявка (0)
ACX124EUQ-7R, Digital Transistors Prebias Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006280951
Артикул
ACX124EUQ-7R
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Power Dissipation
270мВт
Вид монтажа
SMD/SMT
Collector Current (Ic)
100mA
Цена по запросу
(от 55 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor

Технические параметры

Вес, г0.01
Power Dissipation270мВт
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)270mW
DC Current Gain hFE Min60hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
ПроизводительDiodes Incorporated
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
Continuous Collector Current100мА
Канальный режимEnhancement
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Collector Emitter Voltage Max PNP50В
Линейка Продукции-
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов6 ???????
Монтаж транзистораSurface Mount
Выходное напряжение0.1 V, - 0.1 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN, PNP
Резистор База-эмиттер R222кОм
Pd - рассеивание мощности270 mW
Резистор На входе Базы R122кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Максимальная рабочая частота250 MHz
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA, - 100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2-
Типичное входное сопротивление22 kOhms, 22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA, - 100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V, - 50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA, - 100 mA
Типичный коэффициент деления резистора1
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60, 60

Техническая документация