AC857BQ-7, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016771837
- Артикул
- AC857BQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |