Моя заявка (0)

AC848BQ-13, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K

AC848BQ-13, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070085656
Артикул
AC848BQ-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Корпус
SOT23/TO-236AB
Power Dissipation
350мВт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 48,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K

Технические параметры

Вес, г0.01
КорпусSOT23/TO-236AB
Power Dissipation350мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Размер фабричной упаковки10000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.520 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)290 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация