AC848BQ-13, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004134952
- Артикул
- AC848BQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Power Dissipation
- 350мВт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 520 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 290 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |