Моя заявка (0)

AC847BWQ-7, 20nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

AC847BWQ-7, 20nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062380677
Артикул
AC847BWQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Корпус
SOT-323-3
Power Dissipation
200мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 22,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусSOT-323-3
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация