AC847BWQ-7, 20nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017630651
- Артикул
- AC847BWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-323-3
- Power Dissipation
- 200мВт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 1,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-323-3 |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |