Моя заявка (0)

AC847BWQ-7, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

AC847BWQ-7, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016878083
Артикул
AC847BWQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Корпус
sot-323
Power Dissipation
200мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Вес, г0.001
Корпусsot-323
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация