Моя заявка (0)
A2N7002H-HF, MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006348201
Артикул
A2N7002H-HF
Бренд
Comchip Technology
Brand:
Comchip Technology
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
5 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 22,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор A2N7002H-HF с теxнологией Comchip N-канальный МОП-транзистор A2N7002H-HF обладает низким сопротивлением включению, высокой скоростью переключения и защитой от электростатического разряда напряжением до 2 кВ НВМ. Это устройство имеет номинальное напряжение стока-истока (VDSS) 60 В, напряжение затвора-истока (VGSS) ±20 В и постоянный ток стока (ID) 300 мА. МОП-транзистор Comchip Technology A2N7002H-HF предлагается в компактном корпусе SOT-23 и соответствует стандарту AEC-Q101 для использования в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Comchip Technology
Fall Time:15 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Comchip Technology
Package/Case:SOT-23
Product Type:MOSFETs
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация