8205A-HXY, 20V 6A 23m-@4.5V 1.25W 1.2V@250uA 2 N-Channel 800pF SOT-23-6L MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015865940
- Артикул
- 8205A-HXY
- Бренд
- HXY MOSFET
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-23-6
- Структура
- 2 N-Channel
Цена по запросу
(от 5,20 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 6 А 23mOhm@4.5V 1,25 Вт 1.2V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-23-6L, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23mΩ@4.5V |