80-SD1143-01, Trans RF BJT NPN 18V 2A 20000mW 4-Pin Case M-113
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007817409
- Артикул
- 80-SD1143-01
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Material
- Si
- Mounting
- Screw
Цена по запросу
(от 2 820 ₽)
Минимальный заказ: 11 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
4-контактный корпус Trans RF BJT NPN 18V 2A 20000 МВт M-113
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Screw |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| Package Width | 6.48(Max) |
| Package Length | 24.89(Max) |
| Output Power (W) | 10 |
| Supplier Package | Case M-113 |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 5@250mA@5V |
| Typical Power Gain (dB) | 10(Min) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operational Bias Conditions | 12.5V |
| Minimum DC Current Gain Range | 2 to 30 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 20000 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 45(Max) |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 36 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 18 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 2 to 8 |
| Maximum Junction Case Thermal Resistance | 8.75°C/W |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |