Моя заявка (0)

80-SD1013-03, Trans RF BJT NPN 35V 1A 13000mW 4-Pin Style M113

80-SD1013-03, Trans RF BJT NPN 35V 1A 13000mW 4-Pin Style M113

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007817407
Артикул
80-SD1013-03
Бренд
Microchip Technology
PPAP
No
Type
NPN
Mounting
Screw
Pin Count
4
Цена по запросу
(от 2 570 ₽)
Минимальный заказ: 12 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор RF BJT NPN 35V 1A 13000 МВт с 4-контактным разъемом M113

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
MountingScrew
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusUnconfirmed
ConfigurationSingle Dual Emitter
Package Width6.48(Max)
Package Length24.89(Max)
Output Power (W)10(Min)
Supplier PackageStyle M113
Структураnpn
Minimum DC Current Gain5@200mA@5V
Typical Power Gain (dB)10(Min)
Number of Elements per Chip1
Operational Bias Conditions28V
Minimum DC Current Gain Range2 to 30
Maximum Power Dissipation (mW)13000
Maximum DC Collector Current (A)1
Maximum Emitter Base Voltage (V)4
Maximum Collector Base Voltage (V)65
Maximum Operating Temperature (°C)200
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)35
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)1000000
Maximum DC Collector Current Range (A)0.5 to 2
Maximum Junction Case Thermal Resistance13.5°C/W
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)30 to 40

Техническая документация