80-1014-6A, Trans RF BJT NPN 50V 1A 19000mW 3-Pin Case 55LV-1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007817391
- Артикул
- 80-1014-6A
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Mounting
- Screw
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 8 650 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF BJT NPN 50V 1A 19000 МВт 3-контактный корпус 55LV-1
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Mounting | Screw |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 6.35 |
| Package Length | 20.83 |
| Output Power (W) | 6(Min) |
| Supplier Package | Case 55LV-1 |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 20@100mA@5V |
| Typical Power Gain (dB) | 7.5 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Minimum DC Current Gain Range | 2 to 30 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 19000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 1400 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.5 to 2 |
| Maximum Junction Case Thermal Resistance | 9°C/W |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | 50 to 60 |