Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024987988
Артикул
7N65
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
2.39
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
50W
Цена по запросу
(от 49,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.39
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)50W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)7A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3Ω@10V, 3.5A