Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023858485
Артикул
5N50
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.39
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
50W
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.39
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)50W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)18nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)625pF@25V
Continuous Drain Current (Id)5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)15pF@25V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2Ω@10V, 2.5A