5N10-HXY, 100V 5A 125m-@10V,4A 3.1W 2.5V@250uA N Channel 182pF@50V SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015834989
- Артикул
- 5N10-HXY
- Бренд
- HXY MOSFET
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 4,75 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В, 5 А, 125 Мом при 10 В, 4 А, 3,1 Вт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 650pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 98mΩ@10V, 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 98mΩ@10V, 3A |