4N65F, 650V 4A 34W 2.1-@10V,2A 4V@250uA 5.8pF@25V N Channel 425pF@25V 14.5nC@10V +150-@(Tj) ITO-220AB MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017581454
- Артикул
- 4N65F
- Бренд
- GOODWORK
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.29
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В, 4 А, 34 Вт 2.1Ohm@10V,2 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы ITO-220AB, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.29 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 49.8W |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V, 2A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.6Ω@10V, 2A |