Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002212167
Артикул
4MN10MH-TL-E
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 1441 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 200 В 0,1 А 400 МВт 3-контактный MCPH

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
CategoryBipolar Small Signal
MaterialSi
MountingSurface Mount
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width1.6
Package Length2
Supplier PackageMCPH
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain20@60mA@10V, 60@10mA@10V
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)400
Maximum Base-Emitter Voltage (V)4
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Collector-Base Voltage (V)200
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)200
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.6@3mA@30mA

Техническая документация