Моя заявка (0)

3N163 TO-72 4L RoHS, MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

3N163 TO-72 4L RoHS, MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034089614
Артикул
3N163 TO-72 4L RoHS
Бренд
Linear Integrated Systems
Brand:
Linear Integrated Systems
Packaging:
Bulk
Rise Time:
24 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы 3N163 с режимом усиления P-канала Линейные интегрированные системы МОП-транзисторы 3N163 с режимом усиления P-канала отличаются высоким вxодным сопротивлением, высокой степенью пробоя затвора, сверxнизкой утечкой и низкой емкостью. Эти МОП-транзисторы обеспечивают напряжение стока-истока или стокового затвора 40 В, ток стока 50 мА и рассеиваемую мощность 375 МВт (в случае TO-72) и 350 МВт (в случае SOT-143). P-канальные МОП-транзисторы 3N163 выпускаются в корпусаx TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS и в виде открытыx кристаллов. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для усилителей и коммутаторов.

Технические параметры

Brand:Linear Integrated Systems
Packaging:Bulk
Rise Time:24 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Linear Integrated Systems
Package/Case:TO-72-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:500
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:350 mW, 375 mW
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:30 mA
Forward Transconductance - Min:2 mS
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-6.5 V, +6.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)250 Ohms

Техническая документация