3LP01S-TL-E, Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292913
- Артикул
- 3LP01S-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Category
- Power MOSFET
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 3912 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH Si 30V 0.1A с 3-контактным разъемом SMCP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 1.6 |
| Supplier Package | SMCP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | DO |
| Typical Fall Time (ns) | 130 |
| Typical Rise Time (ns) | 55 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 1.43 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.43@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 120 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7.5@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 10400@4V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |