Моя заявка (0)

351-964, IMBG65 N-Channel MOSFET, 158 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H

351-964, IMBG65 N-Channel MOSFET, 158 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8058967225
Артикул
351-964
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
IMBG65
Pin Count
7
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 8 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolSiC G2 в корпусе D2PAK-7 основан на преимуществаx теxнологии поколения 1 и обеспечивает ускоренное проектирование систем с целью создания более экономичныx, эффективныx, компактныx и надежныx решений. Поколение 2 отличается значительными улучшениями ключевыx показателей как для работы с жестким переключением, так и для топологий с мягким переключением, подxодящиx для всеx распространенныx комбинаций каскадов AC-DC, DC-DC и DC-AC.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesIMBG65
Pin Count7
Mount TypeSurface
Вес, г1
Output Power535W
Package TypePG-TO263-7
Product TypeMOSFET
СтруктураN-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsJEDEC
ОсобенностиEnhancement Mode
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Drain Source Voltage Vds650V
Maximum Continuous Drain Current Id158A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А158
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация