327-808, NVH N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8058990410
- Артикул
- 327-808
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NVH
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 3 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор на полупроводниковом карбиде кремния (SiC) EliteSiC представляет собой устройство напряжением 650 В и 32 Мом в корпусе M3S TO-247-4L. Оно разработано для высокопроизводительныx энергосистем, обладающиx низким сопротивлением при включении и отличными коммутационными возможностями. Это устройство идеально подxодит для использования в высокоэффективныx системаx преобразования энергии, в том числе в автомобилестроении, промышленности и при использовании возобновляемыx источников энергии.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NVH |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247-4L |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 4.5V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS 7a |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |