Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023537913
Артикул
30N06
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.47
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
41.5W
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.47
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)41.5W
Особенности-
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.05nF@30V
Continuous Drain Current (Id)30A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)55pF@30V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе1.7V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)30mΩ@10V, 10A