2V7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,4А; 0,28Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023232208
- Артикул
- 2V7002WT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- 2N7002W
- Fall Time:
- 29 ns
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 16,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | 2N7002W |
| Fall Time: | 29 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 530 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.33 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |