2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014515669
- Артикул
- 2STR2160
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Серия
- 2STR2160
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройство на PNP-транзисторе изготовлено по новой теxнологии “PB-HCD” (power bipolar high current density).
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | 2STR2160 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| DC Current Gain hFE Min | 45hFE |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 45 |
| DC Усиление Тока hFE | 45hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 260 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 260 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 |