2STN1550, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 5А; 1,6Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026500222
- Артикул
- 2STN1550
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 3.5 mm
- Height
- 1.8 mm
Цена по запросу
(от 62,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 3.5 mm |
| Height | 1.8 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | 500V Transistors |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | 2STN1550 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.8 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 5A |
| Pd - Power Dissipation | 1600 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Minimum DC Current Gain | 135 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 135@2A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1600 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 260mV@3A, 300mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |