2STN1360, Bipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004824863
- Артикул
- 2STN1360
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- 2STN1360
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 4.54
Цена по запросу
(от 71,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | 2STN1360 |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 4.54 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transition Frequency (fT) | 130MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 130 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@1A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@3A, 150mA |