Моя заявка (0)
2ST31A, TO-220 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015968638
Артикул
2ST31A
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Series
500V Transistors
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Low voltage NPN Power Transistor

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Series500V Transistors
PackagingTube
Вес, г2.75
Серия2ST31A
ManufacturerSTMicroelectronics
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
УпаковкаTube
Power Dissipation40Вт
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаThrough Hole
Pd - Power Dissipation40 W
DC Current Gain hFE Min25hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Continuous Collector Current3А
Maximum DC Collector Current5 A
Collector Emitter Voltage Max60В
Maximum Operating Temperature+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min150
DC Усиление Тока hFE25hFE
Collector- Emitter Voltage VCEO Max60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector-Emitter Saturation Voltage1.2 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности40 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150

Техническая документация