2SK880-BL(TE85L,F),JFET Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pin, 125 °C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046470880
- Артикул
- 2SK880-BL(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- RoHS
- Details
- Brand
- Toshiba
- Series
- 2SK880
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР JFET С УСИЛИТЕЛЕМ ЗВУКА 1,0 дБ -50 В/С при 10 мА
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Toshiba |
| Series | 2SK880 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape |
| Вес, г | 0.012 |
| Power - Max | 100 mW |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70 |
| Product Category | JFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 125°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -0.2 V |
| Maximum Drain Gate Voltage | -50 V |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 1.2 mA |
| Id - Continuous Drain Current | 0.5 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 50 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5 V @ 100 nA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -50 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 6 mA @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |