2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [SC-65 / 2-16C1B.]
![2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [SC-65 / 2-16C1B.]](https://static.epl-electro.ru/lib/313/DOC001313324.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000241006
- Артикул
- 2SK3878(STA1,E,S)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 4.6
- Корпус
- SC-65/2-16C1B
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 9A, 900 В, TO3P; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:9A; Напряжение источника стока Vds:900 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,3 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 150 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-3P; Количество контактов: 3PIN; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Без SVHC (15 января 2018 г.); Максимальный ток: 9A; Клеммная колодка Тип: Сквозное отверстие; Тип транзистора: Силовой MOSFET; Типовое напряжение Vds: 900 В; Максимальное напряжение Vgs: 30 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Технические параметры
| Вес, г | 4.6 |
| Корпус | SC-65/2-16C1B |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 7 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/4А, 10В |