2SK3812-ZP-E1-AZ, MOSFETs POWER TRS2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024361382
- Артикул
- 2SK3812-ZP-E1-AZ
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 160 ns
Цена по запросу
(от 721,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 160 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 250 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 213 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 mOhms |