2SK3756(TE12L.F), МОП-Транзистор SC-62
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017656236
- Артикул
- 2SK3756(TE12L.F)
- Бренд
- Toshiba
- Gain:
- 12 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 12 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Output Power: | 32 dBm |
| Package/Case: | PW-Mini-3 |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | МОП-транзистор |
| Operating Frequency: | 470 MHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 7.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@0.5mA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 400mΩ@1A, 10V |