2SK3541T2L, 30V 100mA 8-@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SOT-723 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015799233
- Артикул
- 2SK3541T2L
- Бренд
- Rohm
- Type
- N Channel
- Series
- 2SK3541
- Product
- MOSFET Small Signals
- Fall Time
- 80 ns
Цена по запросу
(от 5,66 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 100 мА при 8 Ом при 4 В, 10 мА при 150 МВт 1.5V@100uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-723 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | 2SK3541 |
| Product | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 80 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 35 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Product Type | MOSFETs |
| Корпус | SOT-723 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-723-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 100uA |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8О© @ 10mA,4V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8Ω@4V, 10mA |