Транзистор полевой ВЧ 2SK3075(TE12L,Q)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052909204
- Артикул
- 2SK3075(TE12L,Q)
- Бренд
- Toshiba
- Тип
- RF Power MOSFET
- Вес, г
- 1
- Серия
- 2SK3075
- Усиление
- 11.7 dB
Цена по запросу
(от 1 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР (РАДИОЧАСТОТНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В УКВ- И СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОМ ДИАПАЗОНАХ)
Технические параметры
| Тип | RF Power MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Серия | 2SK3075 |
| Усиление | 11.7 dB |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | PW-X-4 |
| Рабочая частота | 520 MHz |
| Выходная мощность | 7.5 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |