2SK3018T106, 30V 100mA 200mW 8-@4V,10mA 1.5V@100uA N Channel SOT-323(SC-70) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015806935
- Артикул
- 2SK3018T106
- Бренд
- Rohm
- Type
- MOSFET
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- 2SK3018
- Product
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 5,38 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор 2SK3018T106 — изделие серии 2SK301. Характеристики Обозначение: 2SK3018T106 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) Параметры: полевой MOSFET 30V 100mA 200mW Масса: 2 г Год выпуска: 2009 Производитель: ROHM Единица измерения: шт
Технические параметры
| Type | MOSFET |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | 2SK3018 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 80 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 35 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | 2SK3018 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 20 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |