Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017570352
Артикул
2SK3018
Бренд
HXY MOSFET
Type
N Channel
Вес, г
0.04
Корпус
sot-323
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 2,09 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 100 мА 200 МВт 8 ОМ при 4 В, 10 мА 1.5V@100uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.04
Корпусsot-323
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-
Power Dissipation (Pd)-
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Continuous Drain Current (Id)100mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Крутизна характеристики, S350 mS
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5Ω