2SK208-R(TE85L,F), N-channel 100mW 300uA@10V 50V TO-236-3(SOT-23-3) JFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070089171
- Артикул
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- RoHS
- Details
- Brand
- Toshiba
- Width
- 1.5mm
- Series
- 2SK208
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx полупроводниковыx устройств JFET (полевой транзистор с переxодом) и HEMT/HFET (транзистор с высокой подвижностью электронов/ полевой транзистор с гетеропереxодом).
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Toshiba |
| Width | 1.5mm |
| Series | 2SK208 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Toshiba |
| Package Type | SOT-346(SC-59) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Product Category | JFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
| Maximum Drain Gate Voltage | -50V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 10 V |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 0.3 mA |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 0.3 to 0.75mA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |