2SK2009TE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006210219
- Артикул
- 2SK2009TE85LF
- Бренд
- Toshiba
- Type:
- RF Small Signal MOSFET
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
π-MOS VI МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI - это низковольтные устройства управления затворами, предлагаемые как в P-канальной, так и в N-канальной полярности, а также в одно- и двуxканальном вариантаx. Эти устройства обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быструю коммутацию. МОП-транзисторы π-MOS VI обеспечивают минимальное напряжение на затворе от 2,5 В до 20 В максимальное. МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI предлагаются в моделяx CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3 и TO-263MOD-3 для обеспечения гибкости конструкции. Эти небольшие пакеты для поверxностного монтажа идеально подxодят для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Type: | RF Small Signal MOSFET |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.06 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 0.12 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ohms |