Моя заявка (0)
2SK2009(TE85L,F), TO-236-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017670792
Артикул
2SK2009(TE85L,F)
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.04
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
200мВт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
Channel TypeN Channel
Power Dissipation200мВт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Drain Source On State Resistance2Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока200мА
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)2.5В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236MOD
Пороговое напряжение на затворе2.1V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В