2SK1835-E, Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012534843
- Артикул
- 2SK1835-E
- Бренд
- Renesas Technology
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.001
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 4 810 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый N-канальный MOSFET-транзистор Renesas Electronics Silicon подxодит для коммутации и переключения нагрузки.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.7nF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.6 Ом |