2SJ646-TL-E, Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212214
- Артикул
- 2SJ646-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 1441 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH Si 30V 8A 3-контактный (2+Tab) TP-FA
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.5 mm |
| Package Length | 6.5 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TP-FA |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 40 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 75@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |