2SJ633-TL-E, Trans MOSFET P-CH Si 60V 4A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212157
- Артикул
- 2SJ633-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Category
- Power MOSFET
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 156 ₽)
Минимальный заказ: 494 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор P-CH Si 60V 4A
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 41 |
| Typical Rise Time (ns) | 45 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 33 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 365@20V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 365@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |