2SJ598-ZK-E1-AZ,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046440534
- Артикул
- 2SJ598-ZK-E1-AZ
- Бренд
- Renesas Technology
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.38
Цена по запросу
(от 171 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 60 В 12 А (Tc), 1 Вт (Ta), 23 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-252 (MP-3ZK)
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.38 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Ta), 23W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252(MP-3ZK) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 23 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 Ом |