Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023470133
Артикул
2SJ598-Z-E1-AZ-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
8
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
38.5W
Цена по запросу
(от 65,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г8
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)38.5W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)25A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)53mΩ@10V