2SJ305(TE85L,F),Power MOSFET, P Channel, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716016
- Артикул
- 2SJ305(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.1
- No. of Pins
- 3Pins
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.1 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Case Style | TO-236MOD |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 200mA |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.06 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 0.15 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200mW |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ом |