Моя заявка (0)

2SD669A, Транзистор биполярный BJT 10мкА 160 В 1 Вт 60 @ 150 мА, 5 В 1,5 А 140 МГц 1 В @ 500 мА, 50 мА NPN +150-@(Tj) TO-126F

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041082138
Артикул
2SD669A
Бренд
Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
Вес, г
0.82
Корпус
to-126
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор биполярный BJT 10мкА 160 В 1 Вт 60 @ 150 мА, 5 В 1,5 А 140 МГц 1 В @ 500 мА, 50 мА NPN +150-@(Tj) TO-126F

Технические параметры

Вес, г0.82
Корпусto-126
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)1.5A
Pd - Power Dissipation1W
Power Dissipation (Pd)1W
Transition Frequency (fT)140MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 5V
Maximum DC Collector Current1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo)10uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage160V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1V@500mA, 50mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц140

Техническая документация