2SD2675TL, Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002119665
- Артикул
- 2SD2675TL
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- 2SD2675
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 420 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1A
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | 2SD2675 |
| Package Type | SOT-346T(SC-96) |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 10 W |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | 2SD2675 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |